Bei 3D V-NAND (auch V-NAND oder 3D NAND genannt) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche, und die Flash-Speicherzeilen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, und der Stromverbrauch sinkt.